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产品分类
产品信息
SUP60N06-12P-E3
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET，MOSFET - 单
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
60A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）
12 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
55nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1970pF @ 30V
功率 - 值
3.25W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220AB
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
60A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C
12 毫欧 @ 30A，10V
Id 时的 Vgs(th)（）
4.5V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs
55nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1970pF @ 30V
功率 -
3.25W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220AB
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
60 V
闸/源击穿电压
+/- 20 V
漏极连续电流
60 A
导通电阻
12 mOhms
配置
Single
工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
封装
Tube
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
8 ns
工作温度
- 55 C
功率耗散
3.25 W
上升时间
11 ns
工厂包装数量
50
典型关闭延迟时间
16 ns
SUP60N06-12P-E3
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